浙江大学6件专利拟实施许可，现将相关信息予以公示。

[1] 专利名称：一种具有多种绝缘层隔离的沟槽肖特基半导体装置及其制备方法

专利号：201110376201.8

专利简介：本发明公开了一种具有多种绝缘层隔离的沟槽肖特基半导体装置，通过多种绝缘层结构改变漂移区的电场强度分布，提高了器件的反向电压阻断特性；本发明还提供一种制备方法，可以实现两次光刻工艺实现器件的生产制造。

[2] 专利名称：一种沟槽MOS结构半导体装置及其制造方法

专利号：201110387741.6

专利简介：本发明主要涉及到一种沟槽MOS结构半导体装置，并将超结结构引入到半导体装置中，本发明的沟槽MOS结构半导体装置是超级势垒整流器和功率MOSFET的基础结构，本发明还涉及沟槽MOS结构半导体装置的制造工艺。

[3] 专利名称：新型碳化硅肖特基二极管

专利号：201010592965.6

专利简介：本发明涉及一种半导体器件，公开了一种应用于高压高频系统如大功率整流、开关电源、变频器等装置中的新型碳化硅肖特基二极管。它包括SiC衬底（2），SiC衬底（2）下端连接有阴极（1），SiC衬底（2）上端连接有SiC外延层（3），SiC外延层（3）上端连接有肖特基势垒接触金属层（5），肖特基势垒接触金属层（5）上设有阳极（6），所述的SiC外延层（3）为至少两个且依次叠接，最下层的SiC外延层（3）与阴极（1）相连，最上层的SiC外延层（3）与肖特基势垒接触金属层（5）相连，SiC外延层（3）的上表面设有P区（4）。本发明通过增加SiC外延层的数量，从而提高SBD反向阻断电压，降低器件的导通电阻，使得肖特基势垒二极管的通态损耗更小。

[4] 专利名称：一种碳化硅MOSFET导通电阻特性的建模方法

专利号：201710035453.1

专利简介：本发明公开了一种碳化硅MOSFET导通电阻特性的建模方法。搭建可控环境温度测试平台，在不同测试温度下测试碳化硅MOSFET，获得不同测试温度下的电流‑电压特性，再输入到直流等效电路模型，采用最小二乘法处理获得各个测试温度下的剩余电阻，用幂次函数曲线拟合获得剩余电阻‑温度特性曲线；用导通电阻减去剩余电阻得沟道电阻，用幂次函数曲线拟合沟道电阻‑温度的特性曲线；将沟道电阻与剩余电阻之和作为导通电阻，由此获得导通电阻特性。本发明方法能够分析碳化硅MOSFET导通电阻的组成部分沟道电阻和剩余电阻在不同温度下占总导通电阻的比例，能够用于评估碳化硅MOSFET器件沟道界面的品质，提供参考。

[5] 专利名称：一种非耗尽型结终端扩展与浮空场板场强互补的终端结构

专利号：201710035461.6

专利简介：本发明公开了一种非耗尽型结终端扩展与浮空场板场强互补的终端结构。包括结终端扩展、浮空场板以及位于结终端扩展和浮空场板之间的支撑介质层，所述结终端扩展分为间隔布置的多块区域，多区域构成结终端扩展，每一区域的长度和间距根据电压等级进行调整，相邻两个区域之间具有区域间隔，浮空场板通过支撑介质层布置在结终端扩展上方，浮空场板分为多个区域，结终端扩展区域间隔处上方设有一浮空场板区域。本发提高了总体的电场强度积分值，具有良好的耐压效果，降低了成本和时间，最大程度地利用终端效率，减小高压器件的终端面积，提高了产率。

[6] 专利名称：一种渐变光刻版图及其半导体表面制造方法

专利号：201811535540.4

专利简介：本发明公开了一种渐变光刻版图及其半导体表面制造方法。渐变光刻版图采用黑白版图，其构成为完全不透光区域的阵列和完全透光区域的阵列，完全不透光区域和完全透光区域交替交错排列布置于版图表面，且具有比例渐变特征和完全交错特征；在原始半导体上通过光刻和刻蚀对表面进行加工完成的，半导体上涂覆一层光刻胶，接着采用渐变光刻版图进行常规光刻工艺形成有图形的掩膜，通过干法刻蚀在半导体表面刻蚀出微坑。本发明利用特殊设计构建的渐变光刻版图，实现了半导体表面渐变微坑阵列及基于该微坑阵列而形成的长距离缓斜坡，工艺步骤均是半导体加工技术，可实现低成本、高产率的半导体表面长距离缓斜坡的制造。

转化方式：普通许可

定价方式：挂牌交易

转化价格：90万元

公示期自2022年6月28日至2022年7月12日。如有异议，请在公示期内向工业技术转化188金宝搏beat亚洲体育下载院提交异议书及有关证据。

电话：0571-88982811，邮箱：chenwt@zju.edu.cn。

工业技术转化188金宝搏beat亚洲体育下载院

2022年6月28日